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氮化鎵快充技術(shù)領(lǐng)先日本，手機充滿只需10分鐘，深圳晶揚電子推出手機接口防護(hù)器TT0501MA，TT0521SB

手機充電進(jìn)入10分鐘時代，iQOO 10+ 手機200W 閃充技術(shù)，從1%充滿100%實測11分鐘。手機超快充技術(shù)，取決于手機的元器件電源開關(guān)和PFC中的氮化鎵。其中自主研發(fā)的充電IC芯片、超薄隔膜材料實現(xiàn)國產(chǎn)化且領(lǐng)先行業(yè)，打破之前日本與韓國的地位。

新半導(dǎo)體的氮化鎵進(jìn)入主流消費市場，并在快充市場普及應(yīng)用。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。其中，SiC和GaN的研究和發(fā)展更為成熟。

2019年，氮化鎵首次應(yīng)用于充電頭，2021氮化鎵功率器件將應(yīng)用在消費電源、數(shù)據(jù)通信/電信和汽車等。預(yù)計2023年，氮化鎵電源市場規(guī)模將達(dá)到4.23億美元，它是高速增長項目，同意嗎？

科技興邦，手機快充技術(shù)領(lǐng)先行業(yè)。智能手機，平板，手表等電子產(chǎn)品使用過程都有靜電損壞，每個電子產(chǎn)品的芯片都有安裝ESD保護(hù)器件，特別是快充接口與電子屏幕都有ESD保護(hù)器件。

深圳晶揚電子ESD原廠，應(yīng)用在智能手機接口防護(hù)器有TT0501MA，TT0521SB，TT0321SA，TT0314TP等常用產(chǎn)品，其最小封裝DFN0603 (0201)。

一是帶Snapback回掃特性，針對目前3.3V和5V信號接口的ESD防護(hù)，提供更低的鉗位電壓（最低＜7V）；

二是：更低的容值（最低＜0.2pF），適應(yīng)主流高速接口；

三是：市場領(lǐng)先的產(chǎn)品特性，更大的Ipp（＞6A）能為高速信號接口提供更好的ESD防護(hù)和Surge防護(hù)；

晶揚電子專注半導(dǎo)體元器件

我們是原廠研發(fā)，設(shè)計，銷售電子元器件廠家，嚴(yán)把質(zhì)量關(guān)。

我們有上千種產(chǎn)品規(guī)格型號，多型號任你選擇。?

我們是電子元器件廠家直銷，沒有中間商。

深圳市晶揚電子有限公司
深圳市晶揚電子有限公司成立于2006年，屬于國家高新技術(shù)企業(yè)，深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會會員。
多年專業(yè)從事IC設(shè)計、生產(chǎn)、銷售及系統(tǒng)集成的IC DESIGN HOUSE，總部位于深圳萬科云城國際創(chuàng)新谷8棟A座1601-1602。

電子元器件配套服務(wù)的高科技型企業(yè)，在成都設(shè)立了全資研發(fā)設(shè)計子公司，并已有近百項有效知識產(chǎn)權(quán)。

目前晶揚電子致力于半導(dǎo)體工藝的保護(hù)器件、MOSFET、二三極管、電源管理IC（LDO，DC-DC）、限流IC、LED驅(qū)動IC、模擬IC和數(shù)控混合IC的研發(fā)與應(yīng)用。

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晶揚電子推出手機ESD保護(hù)器件TT0501MA，TT0521SB

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